La legge di Moore non è morta

moores law transistors per areaRicercatori dei Berkeley Labs sono riusciti a creare il transistor più piccolo al mondo, con gate da 1 nanometro, una novità che forse consentirà alla legge di Moore di rimanere valida ancora per molti anni.

Per anni ricercatori e big dell'industria dei semiconduttori hanno sostenuto che era impossibile creare transistor con lunghezza dei gate inferiori ai 5 nanometri.

Ricercatori dall'università della California, Berkeley, sono riusciti però a creare il transistor più piccolo al mondo, con gate da 1 nanometro, una novità che potrebbe consentire alla legge di Moore di rimanere valida ancora per molti anni.

La legge di Moore è un famoso enunciato del co-fondatore di Intel, Gordon Moore, una previsione relativa alla velocità di sviluppo della tecnologia del silicio, in base alla quale la densità dei transistor dei semiconduttori raddoppia approssimativamente ogni 2 anni, incrementando funzionalità e prestazioni e riducendone contemporaneamente i costi. Quanto supposto da Moore è sempre stato più o meno confermato nel corso degli anni, diventando il metro, l'obiettivo e anche il limite di tutte le aziende che creano microprocessori. Da qualche anno si dice che la validità dell'enunciato in questione è agli sgoccioli per via di ostacoli tecnici, colli di bottiglia delle attuali tecnologie litografiche, impossibilità di scalare la produzione dei processori sotto ai 5 nm.

La struttura dei transistor elettrochimici è composta di alcune parti fondamentali incluse: canale, gate, drain e bulk. Il gate è una sorta di interruttore che consente di accendere o spegnere un transistor quando viene applicata una tensione. Sotto i 5 nanometro si verifica il quantum tunneling: senza entrare troppi dettagli, l'interruttore non funziona più e gli elettroni passano liberamente dal source al drain. La soluzione individuata dai ricercatori è disolfuro di molibdeno (MoS2), materiale che – in accoppiata a nuove tecniche fotolitografiche (usando nanotubi di carbonio) consente di realizzare gate con lunghezza inferiore a 5 nanometri.

Quanto dimostrato dai ricercatori dei Berkeley Lab è una prova concettuale ma è ad ogni modo la dimostrazione della possibilità di creare transistor ancora più piccoli e che forse non è ancora il momento di mandare in soffitta la legge di Moore.

Lascia un commento

Il tuo indirizzo email non sarà pubblicato.

Questo sito usa Akismet per ridurre lo spam. Scopri come i tuoi dati vengono elaborati.